中科大胡伟研究员来我院作学术报告
发布时间：2021-06-01 发布人：赵金华
5月27日下午14时，中国科学技术大学胡伟研究员应邀在翡翠科教楼第三会议室作了题为“第一性原理密度泛函理论激发态电子结构低标度高性能并行计算”的学术报告。
胡伟研究员首先介绍了LR-TDDFT激发态电子结构计算方法应用于大尺度分子固体材料体系的缺点和面临的挑战。接着重点阐述其团队通过插值可分离密度拟合ISDF低秩分解算法，结合机器学习聚类降维算法和隐式迭代对角化方法，将LR-TDDFT激发态电子结构的计算复杂度从高标度O(N5~N6)降低至立方标度O(N3)。并展示利用自主开发的标准平面波计算软件PWDFT，通过混合CPU-MPI/OpenMP + GPU-CUDA异构并行计算模式，在中国自主超算平台上实现了包含4,096原子的体相硅激发态电子结构性质的高性能并行计算，并行规模高达12,288CPU核心。此外，他们还采用该方法研究了二氧化钛表面光催化的激发态电子结构性质，结果表明表面氧桥捕获的热空穴对分子解离反应起到决定性作用。胡伟研究员此次报告引起在座师生的踊跃提问和热烈讨论，更启发了研究生从电子结构和物理机制层面探讨课题。
胡伟研究员是中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心与安徽省应用数学中心博士生导师，主要致力于发展第一性原理密度泛函理论高精度、低标度、高性能并行计算方法和计算软件，尤其对于中国自行设计的超级计算机构架，包括神威•太湖之光、曙光、天河、寒武纪和华为，并应用于多功能先进材料计算模拟和理论设计。目前已发表SCI学术论文60余篇，软件著作权2个。
