国家自然科学基金委员会公布了2020重大科研仪器研制项目评审结果，我院集成电路系梁华国教授团队申请的“纳米集成电路边缘缺陷测试分析仪研制”获得重大科研仪器研制项目资助，是我院获批的首项国家自然科学基金重大科研仪器研制项目。

2019年英特尔发布了未来十年制造工艺扩展路线图，集成电路制造工艺将从10纳米发展至1.4纳米，新的制造工艺缺陷给芯片测试带来严峻的挑战。目前尚缺乏一种先进仪器来测试分析“边缘缺陷”这一前沿科学问题。

本项目将研制一套纳米集成电路边缘缺陷测试分析系统，实现对5-22nm FinFET工艺的精确参数提取和可靠性测试，为高端IC芯片的设计提供支持。该测试分析仪的研制可填补高端芯片边缘缺陷测试分析仪的空白，为我国高端IC测试设备的研制奠定基础。探寻先进工艺下新型缺陷的演变规律，研究出边缘缺陷测试分析的有效方法。

该项目的顺利实施，将有力推动合肥工业大学“强芯计划”集成电路测试平台的建设，对合肥市强芯科技创新中心国家集成电路测试相关产业发展具有一定促进作用。

（鲁迎春 图/文  赵金华/审核）