个人简介：

工作经历：

2022-至今     合肥工业大学           副教授

2017-2022    合肥工业大学           特聘副研究员

2014-2016    英国谢菲尔德大学    博士后

教育背景：

2010-2014  英国谢菲尔德大学 博士

2007-2010  英国谢菲尔德大学 学士

研究方向：

第三代半导体材料及光电子器件的晶体外延/芯片制程

(致力于产业界当下面临的科学和技术难题，推进科研成果向产品的有效转化)

开设课程：

本科生课程：《半导体光电材料》

研究生课程：《薄膜微电子》

科研项目：

纵向项目：

1. 国家自然科学基金青年项目，2023-2025，主持

2. 安徽省自然科学基金青年项目，2022-2023，主持

3. 合肥工业大学学术新人提升计划B，2023-2024，主持

横向项目：

1. 企业委托类项目，2023-2026，主持 (III族氮化物材料与器件开发)

2. 企业委托类项目，2020-2022，主持(氮化镓外延工艺开发)

3. 企业委托类项目，2020-2021，参与(氧化镓基功率器件的研发)

4. 企业委托类项目，2019-2020，主持(氮化镓晶体外延工艺开发)

5. 企业委托类项目，2017-2019，主持(氮化镓LED的研发)

近5年发表论文（*为通讯作者）

1. Y. Sang, Z. Zhuang*, K. Xing*, D. Zhang, J. Yan, Z. Jiang, C. Li, K. Chen, Y. Ding, T. Tao, D. Iida, K. Wang, C. Li, K. Huang, K. Ohkawa, R. Zhang, and B. Liu*, Applied Physics Letters, 124, 11929 (2024).

2. Y. Sang, Z. Zhuang*, K. Xing*, Z. Jiang, C. Li, F. Xu, D. Zhang, J. Yu, J. Zhao, T. Zhi, T. Tao, C. Li, K. Huang. K. Ohkawa, R. Zhang, and B. Liu*, IEEE Electron Device Letters, 45, 76 (2024).

3. K. Xing*, J. Hu, Z. Pan, Z. Xia, Z. Jin, L. Wang, X. Jiang, H. Wang, H. Zeng, and X. Wang, Optics Express, 32, 11379 (2024).

4. J. Hu, K. Xing*, Z. Xia, Y. Sang, X. Yang, T. Tao, Z. Zhuang*, R. Zhang, and B. Liu, Applied Physics Letters, 123, 111107 (2023).

5. K. Xing*, Z. Xia, G. Xie, Z. Pan, Z. Zhuang*, J. Hu, Y. Sang, T. Tao, X. Yang, B. Liu, and R. Zhang, IEEE Photonics Technology Letters, 35, 1439 (2023).

6. K. Xing, G. Xie, X. Cheng, Y. Zhang*, and Q. Chen*, Journal of Crystal Growth 597, 126855 (2022).

7. Y. Liang, M. Ma, X. Zhong, C. Xie, X. Tong, K. Xing*, and C. Wu*, IEEE Electron Device Letters 42, 1192 (2021).

8J. Wang, S. Cao, L. Yang, Y. Zhang, K. Xing*, X. Lu, and J. Xu*, Nanoscale 13, 16487 (2021).

9. K. Xing*, X. Cheng, L. Wang, S. Chen, Y. Zhang*, and H. Liang, Journal of Crystal Growth 570, 126207 (2021).

10. K. Xing*, C. Tseng, L. Wang, P. Chi, J. Wang, P. Chen, and H. Liang, Applied Physics Letters 114, 131105 (2019).

11. K. Xing*, S. Chen, X. Tao, C. Lee, J. Wang, Q. Xu, and H. Liang, Applied Physics Express 12, 115501 (2019).

12. K. Xing*, J. Wang, L. Wang, X. Tao, S. Chen, and H. Liang, Applied Physics Express 12, 105501 (2019).

已授权专利

1. 邢琨(2020)，非极性面Ⅲ族氮化物外延结构及其制备方法，CN109148654B

2. 邢琨(2020)，一种氮化镓基纳米柱阵列的制备方法，CN107424912B

3. 邢琨(2019)，一种氮化镓纳米孔洞的制备方法，CN107978662B

4. 邢琨(2019)，半极性氮化镓外延层结构以及发光二极管，CN209859968U

5. 邢琨(2017)，一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件，CN206672959U

课题组具备第三代(宽禁带)半导体材料及器件的外延、芯片制程、测试表征等实验条件。课题组每年招收研究生2-3人，欢迎有志于第三代半导体光电子材料及芯片领域发展的研究生同学加入课题组。